Samsung wprowadza 256 GB kości pamięci typu UFS 2.0 dla smartfonów

Samsung wprowadza 256 GB kości pamięci typu UFS 2.0 dla smartfonów


Zaledwie w rok po wejściu do masowej produkcji pamięci flash UFS 2.0 o pojemności 128 GB, Samsung rozpoczął produkcję kości o pojemności 256 GB. Na dzień dzisiejszy zaledwie kilka dostępnych na rynku topowych smartfonów posiada 128GB wbudowanej pamięci, a już niedługo rzeczywistością staną się urządzenia wyposażone 256 GB pamięci. Zgodnie z zapewnieniami Samsunga nowe czipy UFS oparte są o najbardziej zaawansowane pamięci flash V-NAND oraz specjalnie zaprojektowane dla nich high-end’owe  kontrolery. Nowe kości pamięci flash UFS 2.0 są w stanie wykonać 45 tys. operacji wejścia i 40 tys. operacji wyjścia dla losowego odczytu i zapisu podczas gdy dla poprzedniej generacji liczby te wynosiły odpowiednio 19 tys. i 14 tys.. 256 GB pamięci UFS 2.0 są średnio dwa razy szybsze od przeciętnych dysków SSD i  trzy raz od topowych kart micro SD, osiągając prędkości 850 MB/s w przypadku odczytu sekwencyjnego i 260 MB/s dla zapisu sekwencyjnego. Najprawdopodobniej już w tym roku pojawią się pierwsze urządzenia wyposażone w 256GB wbudowanej pamięci, mowa tu nie tylko o flagowych smartfonach Samsunga ale być może także nowych Iphone’ach 7 które zadebiutować mają we wrześniu tego roku.

256GB-UFS_02_main

Źródło: news.samsung.com

  • Paweł Janiak

    Z roku na rok rośnie zapotrzebowanie na pamięć w naszych urządzeniach. Samsung zdaje sobie sprawę, że nie każdy użytkownik jest entuzjastą korzystania z chmury, więc wychodzi na przeciw wprowadzając nowe kości o zwiększonej pojemności czy przywracając slot na kartę micro sd w nowym Galaxy S7.